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Ausstattungsliste: Burmester 956 MK2
Ausstattung & technische Daten
| Besonderheiten | |
| Mono-brückbar über externe Y-Kabel oder intern sofern ein Paar 956 als mono bestellt ist | |
| Bi-Amping über externe Bi-Amping Brücken | |
| Vollkommen symmetrischer Aufbau, wie alle Burmester-Geräte | |
| Eingangsstufen in Burmester X-Amp Technik (Class A) | |
| Komplett DC-gekoppelter Signalweg ohne klangverfälschende Kondensatoren im Signalweg | |
| Großzügig dimensioniertes Netzteil ermöglicht hohe Stromlieferfähigkeit | |
| Mühelose Kontrolle jedes Lautsprechers durch hohen Dämpfungsfaktor über den gesamten Frequenzbereich, auch bei hohen Frequenzen | |
| Stabil an allen Lasten über den gesamten Frequenzbereich | |
| Massive Schraubklemmen für die Lautsprecherkabel (immer nur Kabelschuhe verwenden!) | |
| Remote on/off über Burmester Geräte (Remote-Einschaltspannung: 10V DC) | |
| Eine eingebaute Schutzschaltung außerhalb des Signalwegs kontrolliert den 956 auf Temperatur, DC-Offset und Spitzenstrom. | |
| Anschlussmöglichkeiten | |
| Symmetrischer Eingang (stereo/mono) | |
| Asymmetrischer Eingang über mitgelieferte Adapter (nur in stereo möglich) | |
| 10V DC Input für remote on/off über Burmester Pre-Amps und Burmester D/A Wandler mit variablem Ausgang. | |
| Lautsprecherausgänge (stereo/mono) | |
| Ausführungen | |
| Standardversion mit Chromwinkel, Chromdreieck graviert, Gehäuse silberfarbig eloxiert. | |
| Sonderanfertigungen auf Anfrage. | |
| Technische Daten | |
| Maße (BxHxT) | 482 mm x 191 mm x 482 mm |
| Gewicht | ca. 30kg (66lbs.) |
| Ausgangsleistung Endstufe | Stereo: 2x240 W (4W), Mono: 1x500 W (4W) |
| Dauer-Spitzenstrom | 34 A |
| Dämpfungsfaktor | >2000 |
| Fremdspannungsabstand | >81 dB |
| Eingangsempfindlichkeit | 730 mV für Vollaussteuerung |
| 320 mV für 100W an 4 W Last | |
| Leistungsfrequenzgang | 0-200kHz (-3dB) |
| Leistungstransistoren | 4 selektierte Leistungstransistoren pro Kanal |
| nstiegszeit (stereo/mono) | 1,4 μs an 4/8 W Last |
| 1,9 μs an 1 W Last | |
| Netzteil | Überdimensioniertes Netzteil mit 188.000 μF Siebung und 600 VA Ringkerntrafo. |
| Zusätzliche lokale Siebung in der Nähe der Ausgangsstufen mit 12.000 μF pro Kanal. | |
